3月26日消息，中微半导体设备（上海）股份有限公司宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。该精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上均得到验证，约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一，这是等离子体刻蚀技术领域的又一次创新突破。
